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細心于半導體器件電性試驗

普賽斯儀表攜國產化高精度數字源表等半導體電性能測試設備亮相2023慕尼黑上海電子展

特征:admin 日子:2023-07-11 16:59 瀏覽網頁量:1508
        11月11日,2023慕尼黑昆明網絡為了滿足網絡時代壯大的需求,展(Electronica China)在昆明國家地區博覽中心站中心站開幕典禮,此屆工業展以“融成特色化、智引前景”有利于題,凝聚半導體材料、無源配件、智能化網聯&新綠色能源汽車行業、感應器器、拼接器、按鈕開關、網絡線束光纜、交流電源、檢驗量測、噴涂控制集成電路板、網絡為了滿足網絡時代壯大的需求,營造出貼心服務、發達營造出等公司,著力打造從物料設置到廣泛應用正式出臺的跨越高新企業兩排游的的專業顯示工作平臺,以特色化技術工藝提高網站中國有網絡為了滿足網絡時代壯大的需求,高新企業壯大。


        普賽斯設備專業專注于半導測式圖片高性價比武器裝備的產的化,攜全一系列半導電性測式圖片主力資金企業產品及半導教育領域從裝修材料、晶圓到元器件測式圖片滿足情況報告驚艷亮相本屆展覽會,吸引了無數工程項目師和職業來賓隨時歡迎享受互動交流。


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        試驗軟件圖片在測量是全部整個手機高新產業高品牌操作的很好的方法,半導體材料只能根據研發階段不同的,高品牌操作涵蓋前道檢側、中道檢側和后道試驗軟件圖片。前道檢側又叫做為全過程技術檢側,指向于于晶圓研制,查看光刻、刻蝕、pe膜積累、清理、CMP等晶圓研制階段后品牌加工廠指標能否是適合設計方案適合規范或都存在反應良率的缺陷,偏重于熱學性檢側;中道檢側指向于于比較好的封口,以光學元件等非接觸式的方法對重走線框架、凸點與硅通孔等晶圓研制階段的高品牌操作;后道試驗軟件圖片主要的指向于于晶圓檢側(CP,Circuit Probing)和的成品試驗軟件圖片(FT,Final Test),查看單片機芯片效能能否是適合適合規范,偏重于電效能檢側。


        著力半導體器件的電耐腐蝕性測評,普賽斯設備場所呈現了獨立自主研發項目管理的源表系例(SMU)、脈寬恒流源 (FIMV)、髙壓力電原適配器 (FIMV、FVMI)、脈寬恒壓源、數據分析顯示錄入卡五個類類產品,內容涵蓋直流電原表、脈寬源表、窄脈寬工作電流大小源、整合插卡式源表、高的精密度的很大工作電流大小源、高的精密度髙壓力電原適配器、數據分析顯示錄入卡等國產a化電耐腐蝕性測評設備,其保持穩界定、穩定經濟性、共同性得見多的市場的認證。、


        焦聚第三點代半導體器件便捷發展進步下制造業企業受到的難題和考驗,普賽斯儀器總業務經理業務經理兼科研開發水平開展人王承與廠房特邀嘉賓實施了深重方面的淺論。


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SiC/IGBT功率半導體器件測試

        對于SiC/IGBT瓦數元器在公測中長期存在的測不許、測不全、穩定度性同時高效率低的故障 ,普賽斯儀表盤推存這種應用于產的化高計算精度大數字源表(SMU)的公測細則,兼具來詢的公測本事、更精準的在線精準量測畢竟、高的穩定度性與更逐步的公測本事。極具高打印輸出瓦數(3500V)和大直流電值(6000A)性質、μΩ級導通電阻器精度在線精準量測、nA級直流電值在線精準量測本事等亮點。可以支持高電壓狀態下在線精準量測瓦數瓦數元器結電阻(電阻器),如顯示電阻(電阻器)、打印輸出電阻(電阻器)、反向的方式給回傳送電阻(電阻器)等。


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GaN功率半導體器件測試

        面向氮化鎵(GaN)包擴砷化鎵(GaAs)等的原材料包括的迅速配件的I-V測評,普賽斯電子儀表坐版推出了的CP編單激光激光脈寬恒壓源需要極有效率最快緩解測評瓶頸問題。產品享有單激光激光脈寬工作電流最高的可至10A、單激光激光脈寬間距最短可低至100ns;適配直流電源、單激光激光脈寬這兩種電阻值效果方式等優缺點。產品可應該用于GaN的自熱因素,單激光激光脈寬S參數指標測評等情況。

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科學合理分析儀器賽車場長坡厚雪,國產車換用要求熱烈。普賽斯電子儀表將連續自主創新,連續推動企業鏈橫豎游合作協議連動,以表現出色的品牌與安全服務動力潛在客戶完成企業保值,共赴可連續未來生活!



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