概述
SiC/IGBT及其應用發展
IGBT(絕緣帶電阻柵雙極型納米線管)是電網操縱和電網轉變的核心區元電子器件,是由BJT(雙極型納米線管)和MOS(絕緣帶電阻柵型場調節作用管)根據的符合全控型額定電壓驅動程序式電率半導元電子器件,都具有高發送輸出阻抗、低導通壓降、高速路啟閉屬性和低導通環境損耗量等特殊性,在較中次數的大、中電率廣泛應用中掌控了核心社會價值。SiC/IGBT功率半導體器件主要測試參數
近些以來來IGBT變成供電智能電子技術域中愈加令人矚目的供電智能電子技術元器件封裝,并得出越多越大量的軟件,可是IGBT的軟件檢測就變的愈加最重要了。lGBT的軟件檢測例如動圖技術主要運作軟件檢測、動圖技術主要運作軟件檢測、瓦數重復、HTRB靠普性軟件檢測等,這種軟件檢測中最關鍵的軟件檢測即使動圖技術主要運作軟件檢測。 發生變化光電配件技術制造工藝設計不斷地提高自己,各種檢驗儀和安全驗證也變得愈加愈加關鍵。常常,主耍的瓦數光電配件技術電子技術元件基本功能分外部式的數據基本功能、動態的基本功能、旋轉開關特 性。外部式的數據性能基本參數指標基本功能主耍是表現電子技術元件本征基本功能因素,與辦公中必要條件不相干的相關的性能基本參數指標,如好多瓦數電子技術元件的的外部式的數據直流變壓器性能基本參數指標(如交流電阻值擊穿交流電阻值 V(BR)DSS、漏工作電流I CES/IDSS/IGES/IGSS、域值交流電阻值VGS(th)、跨導Gfs、壓降VF 、導通內電阻RDS(on))等。 瓦數光電配件技術電子技術元件有的是種黏結全控型交流電阻值驅動安裝式電子技術元件,兼而有之高顯示阻抗匹配和低導通壓降兩家面的好處;的同時光電配件技術瓦數電子技術元件的處理器屬 于電力工程電子技術處理器,需要辦公中在大工作電流、高交流電阻值、高頻率的區域下,對處理器的靠譜性規范要求較高,這給各種檢驗儀產生一定的難度。市售 傳輸統的在線測量技術或者是醫療儀器儀容儀表普通不錯包含電子技術元件基本功能的各種檢驗儀具體需求,但有寬禁帶光電配件技術電子技術元件SiC(增碳硅)或GaN(氮化鎵)的技術卻 無窮的擴充了油田、高速收費站的數據分布之間。如此準確表現瓦數電子技術元件高流/油田下的I-V等值線或其他一些外部式的數據基本功能,這就對電子技術元件的各種檢驗儀方式說出更 為嚴格要求的試練。普賽斯IGBT功率半導體器件靜態參數測試解決方案
PMST系例馬力元器材封裝冗余數據性能指標試驗裝置是蘇州普賽斯順向來設計的概念、精益管理著力打造的高高畫質等級電壓瞬時電流/瞬時電流試驗深入分析裝置,就是款才可以打造IV、 CV、跨導等豐富多樣實用功能的綜合試驗裝置,更具高畫質等級、寬側量時間范圍、引擎化來設計的概念、隨意強制升級擴容等優勢可言,此次全方位擁有從根基馬力 肖特基二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導SiC、GaN等晶圓、處理芯片、元器材封裝及引擎的冗余數據性能指標分析方法和試驗,并更具優質的側量 速度、同樣性與安全可靠。讓其中建設項目師施用它都能改為產業專家團隊。 重要性用戶賬戶有差異測評場合的在使用要,普賽斯新 退出 PMST最大效率集成電路芯片動態性能技術性能參數表測評控制體系、PMST-MP最大效率集成電路芯片 動態性能技術性能參數表產線半自動化測評控制體系、PMST-AP最大效率集成電路芯片靜 態性能技術性能參數表產線全自動化測評控制體系四款最大效率集成電路芯片動態性能技術性能參數表測評控制體系。產品特點
1、高電壓、大電流
2、高精度測量
3、模塊化配置
4、測試效率高
5、軟件功能豐富
6、擴展性好
硬件特色與性能優勢
1、大電流輸出響應快,無過沖
進行有意識的主動發掘的高特點脈沖激光造成的式大交流電源、直流高壓源,的輸出建立聯系過 程回應快、無過沖。測驗階段中,大交流電非常典型增加期限為15μs, 脈寬在50~500μs相互間可手動調節。進行脈沖激光造成的大交流電的測驗模式,可以有 效減低集成電路芯片因本身發燙帶動的出現偏差的原因。2、高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式
用隨時升級規劃設計的高效能直流高壓源,所在建立聯系與段開反映快、無過 沖。在線電流值擊穿線電流值測試儀中,可人設電流值局限性和線電流值允許值,解決 配件因過壓或過流使得影響。規格參數