前言

        2023年，亞洲最大半導體元器行業設備高技術房產發展前景告終反復高增長額，進入優化周期公式。與此變成比較，在新再生能源小車、光伏發電、儲能電池等需求分析升級下，第二代半導體元器行業設備高技術房產發展前景保持穩定飛速發展前景，亞洲最大化提供鏈保障管理體制正變成，市場相互競爭局勢進一步確定，房產發展前景邁進迅猛長大期。而在中國第二代半導體元器行業設備高技術房產發展前景過程后期生產量力的部署和產線構建，國的產品牌第二代半導體元器行業設備高技術的產品隨后開拓實現目標并根據核實，高技術穩中求進升級，生產量力不停保持，國的產品牌氧化硅(SiC）元器及模塊圖片頻頻開始“上機”，生態健康保障管理體制頻頻建全，自主經營控制工作能力不停改善，總體市場相互競爭知名度日漸升級。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022最后代半導體器件技術技術技術產業的的發展的發展行業行業研究報告》界面顯示，2023年發達國家最后代半導體器件技術技術技術功效光學和徽波通信加熱徽波通信頻射兩根范圍保證總總量141.7萬億美元，較202半年生長11.7%，的生產銷量力不息減少。這當中，SiC的生產銷量力生長增漲，GaN的生產銷量力生長超30%，轉入項目投資擴產打算較202半年環比持續增長率率期生長36.7%。并且，跟隨自動小汽車行業行業飛速生長，太陽能發電、儲電需求分析拖拽，2023年發達國家最后代半導體器件技術技術技術功效光學和徽波通信加熱徽波通信頻射行業行業總規模較實現194.2萬億美元，較202半年生長34.5%。這當中，功效半導體器件技術技術技術行業行業高出105.5萬億美元，徽波通信加熱徽波通信頻射行業行業約88.6萬億美元。

        預期，202幾年將是再次代半導體器件異軍突起的一整年，市場中將論證一種“系統更快取得進步、品牌更快發展、形勢大大轉變”的“東漢年代”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        因此，再者代寬禁帶半導體設備器件村料的深入分析也深化著LED戶外燈具照明房產的快速發展，從Mini-LED到Micro-LED，保持不良影響半導體設備器件戶外燈具照明房產，還有就是在大工率繳光器、UV紫外線消毒/試探鄰域推動關鍵要的用處。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        當今，工作電壓半導體設備設備芯片行業配件市場呈流露出出一體化化和模塊電源化、高功效和高牢靠性、多電平技藝、新式配件機構和工藝設備、自動化化和可相空間等進步趨勢英文和進步路徑。工作電壓半導體設備設備芯片行業配件是軟件應用于嚴于大環境下的高工作電壓體積配件，對配件牢靠性標準占居所有的半導體設備設備芯片行業配件的企業。故此，對配件脫貧攻堅的功效測驗標準、適用應用場合的牢靠性測驗必要條件或者最準的沒合理果具體分析形式將合理的提升自己工作電壓半導體設備設備芯片行業配件貨品的功效及牢靠性表面。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 比率廣，高至300V低至1pA- 比較小電磁：寬度200μs- 精密度度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺最大的3500V電壓電流傳輸(可映射10kV)- 測量方法工作電流低至1nA- 確切度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 轉換直流電壓達1000A- 兩部電容串聯大約6000A- 50μs-500μs的智能尺寸可調式- 脈沖激光邊沿陡(基本特征時光15us)- 四公里搜集精確測量電阻值(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 整流/電磁倆種端電壓導出模型- 大激光脈沖電壓電流，高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式的設計，1CH/插卡，最高的鼓勵10綠色通道

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*組成部分所有圖片源頭：發表姿料收納整理

*個部分個人信息的來源：中國國家資金時報《在我國再者代半導體材料企業綜合打開成長的期》郭錦輝

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