盛夏已過，初秋開場

十一月的中高溫仍舊很久不散活動也難免會了被繁瑣的工作上詛咒

各類高壓大電率(6500V/3000A)IGBT測試圖片難？伴不斷地該項目需求量急、作業重、的要求高水利技術工程師們壓強山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

基于SiC與Si性狀的不同于，SiC MOSFET的域值的的電壓降兼備時好時壞定性分析，在電子器件考試流程中域值的的電壓降可能會有顯眼漂移，造成 其電性能指標考試包括較高溫度柵偏疲勞試驗后的電考試報告單特別嚴重忽略于考試具體條件。故而域值的的電壓降的明確考試，現行制度可信度性考試方式方法有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通熱敏電阻 RDSon為直接影響元器運作時導通耗損的一重要性的特點參數表，其平均值會隨 VGS 各種T的影響而變更。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護區能夠將電壓電壓電流還有電壓電流控制在SOA地方，禁止元器件封裝傷害或炸管。

各種測試前提：800V 恒壓 10μA 限流

測試方法條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）直流電壓值判斷電線將增進導通電壓值檢測精密度較；? SOCKET與PIN相處熱敏電阻器、測評引線導通熱敏電阻器。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電壓正弦波形自由振蕩；? 輸電線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普遍同軸低壓電纜的等效電阻與DUT電容串聯，SMU檢查時升還有穩定性高時段長；? 三同軸電線電纜等效電解電容可以說為0。

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